シリコントランジスタ S8550

トランジスタ S8550 データシート:

特徴

S8050に無料

コレクタ電流: IC=0.5A

最大定格（特に記載がない限りTa=25度）

パラメータ

記号 試験条件 最小 最大 単位

コレクタベースブレークダウン電圧

V(BR)CBO

IC=-100μA、IE=0

-40 V 

コレクター-エミッター破壊電圧

V(BR)CEO IC =-1mA、IB=0 -25 V

エミッタベース降伏電圧

V(BR)エボ

IE= -100μA、IC=0

-5 V 

コレクタカットオフ電流

ICBO VCB= -40V、IE=0 -0.1

μA 

コレクタカットオフ電流

ICEO VCE= -20V、IB=0 -0.1

μA 

エミッタカットオフ電流

IEBO VEB= -3V、IC=0 -0.1

μA 

hFE(1) VCE= -1V、IC= -50mA 120 400

DC電流ゲイン

hFE(2) VCE= -1V、IC= -500mA 50

コレクター-エミッター飽和電圧

VCE(飽和) IC=-500mA、IB= -50mA -0.6 V

ベース・エミッタ飽和電圧

VBE(土)

IC=-500mA、IB= -50mA -1.2V

遷移頻度

ft

VCE= -6V、IC= -20mA

f=30MHz

150MHz

電気的特性（Ta=25）

トランジスタ S8550 は、PNP バイポーラ接合トランジスタとも呼ばれ、さまざまなアプリケーションで使用される一般的な電子部品です。このトランジスタは、最大 700mA のコレクタ電流と最大 20 ボルトのコレクタ エミッタ電圧を処理できるため、多くの低電力アプリケーションに適しています。

S8550 トランジスタの主な特徴の 1 つは、NPN バイポーラ接合トランジスタである UTC S8050 トランジスタとの相補性です。この機能により、電力増幅や単純なスイッチング回路を必要とするアプリケーションに最適です。

S8550 トランジスタのもう 1 つの重要な特徴は、ハロゲンフリーであることです。これは環境に優しく、現代の電子機器製造において大きな利点であると考えられています。電子部品にハロゲンフリー材料を使用することは、業界で急速に標準的な慣行になりつつあります。

S8550 トランジスタの一般的な用途としては、オーディオ アンプ、マイク プリアンプ、電圧レギュレータなどがあります。また、LED ドライバ、モーター コントローラ、リレーなどの低電力スイッチング回路にも使用されます。

S8550 トランジスタを使用する場合、いくつかの動作パラメータに留意することが重要です。たとえば、このトランジスタの最大ゲインは約 630 で、最大消費電力は 625 ミリワットです。考慮すべきもう 1 つの重要な要素はベース エミッタ電圧で、通常は 0.6 ボルトから 0.7 ボルトの範囲です。

S8550 トランジスタは、幅広い低電力アプリケーションに適した、多用途で信頼性の高いコンポーネントです。UTC S8050 との相補性、高いコレクタ電流、エミッタ コレクタ電圧により、さまざまな電力増幅回路やスイッチング回路に最適です。ハロゲンフリーであるため、環境にも優しい選択肢です。

FRQの

Q: サンプルはありますか？無料ですか？

A: サンプルの価値が低い場合は、テスト用に 20-30 個を提供します。

Q: 工場はどこにありますか?

A: 浙江省

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