ホーム - 製品 - トランジスタ - 詳細

MJD122トランジスタ

Power Transistors MJD122は、優れた性能、複数のパフォーマンスと特性を備えた高性能電力トランジスタであり、その製品設計は軽量で使いやすく、さまざまな高精度および高い信頼性の状況で適用できます.}

お問い合わせを送る

ダウンロード

説明

パワートランジスタMJD122製品はじめに：

鉛成形を備えたプラスチックスリーブの表面設置：リードモールディングを備えたプラスチックスリーブ表面設置を採用し、そのサイズは-252（DPAK）にあります。これは、エアコン、電源、電源、UPS電源などの電源などのフィールドに適した小さなボリュームと簡単な設置の利点があります. .デバイス.

タイプからプラスチックスリーブ：-251（ipak）.のサイズのプラスチックスリーブを選択できます。その利点は、コンパクトな構造、簡単なインストール、およびランプビーズや配布ボックスなどの小さなボリューム機器の適切なアプリケーション効果です.}

リードフォームバージョンには、16mmテープとスクロールが付属しています。実際のニーズに応じて選択できます{.リードフォーミング方法の使用により、全体の構造がより頑丈になり、高需要の電子デバイス.に適しています。

2n 6040-2 N6045シリーズ、TIP120 TIP122シリーズ、TIP125 TIP127シリーズ.のサーフェスマウント交換部品

Power Transistors MJD122には、表面マウントのリード形成とストレートモデルが付属しているだけでなく、交換部品のオプションも提供します{.表面マウント置換部品は、2N 6040-2 N6045シリーズ、TIP120 TIP122シリーズ、TIP125シリーズ{TIP125シリーズ{{9} {9}の差がある}の差があります{9}. differy for emferent for emferent for emfort for expern for expermenデザイン.

組み込みベースエミッター並列抵抗を備えた単一チップ構造：組み込みのベースエミッターパラレル抵抗を組み込んだ単一のチップ構造には、回路安全保護の機能があり、その内部回路構造は正確であり、安定した信頼性の高いパフォーマンス.高潜在末端は、高密度の銅メッキテクノロジーを採用します。

高DC電流ゲイン-HFE =2500（典型的な値） @ ic =4.0 adc：DC電流ゲイン2500（典型的な値） @ ic =4.0 ADC、DC電流容量が大きい.そのパフォーマンスは安定して信頼性が高く、さまざまな複雑な状況でのアプリケーション要件を満たすことができます.

補完的なペアの簡素化設計：回路設計は、補完的なペアテクノロジー.製品相補性を持つことで、さまざまな種類の製品が互いに補完できるようにすることで、さらに簡素化でき、電子設計がより便利になります.

パワートランジスタMJD122、NPNトランジスタ、MJD122データシート：

mjd122