MOSFETの特性

MOSFETはバイポーラトランジスタと比較して以下の特徴があります。

(1) FET は電圧制御デバイスであり、ID (ドレイン電流) を VGS (ゲート・ソース電圧) を介して制御します。

(2) FET の制御入力電流は非常に小さいため、その入力抵抗 (107~1012 Ω) は非常に大きくなります。

（3）ほとんどのキャリアを使用して電気を伝導するため、温度安定性が良好です。

（４）トランジスタで構成された増幅回路の電圧増幅率は、三極管で構成された増幅回路の電圧増幅率よりも小さい。

(5) FET の耐放射線性が強い。

(6) カオス運動の電子拡散によるショットノイズがないため、ノイズが少ない。